先端スピントロニクス研究開発センター（世界トップレベル研究拠点）東北大学電気通信研究所

ニュース

ALL ニュースイベント

2018/12/10 ニューススピン軌道相互作用の符号反転に成功～スピン電場操作の新たな自由度開拓～
2018/12/07 ニュース磁気のない金属からナノ薄膜磁石を作ることに成功－超高集積不揮発性磁気メモリを実現するための材料開発に新しい視点－
2018/12/05 ニュース100Mb超密度で世界最高書き込み速度性能(14ナノ秒)を有するキャッシュアプリケーション向け128Mb密度STT-MRAMの開発に成功
2018/12/05 ニュース低ダメージプロセスインテグレーション技術開発による磁気ランダムアクセスメモリ(STT－MRAM)の高性能化と高書き換え耐性の両立に成功
2018/12/05 ニュースアドバンテスト社製メモリ・テスト・システムを用いて128Mb密度のSTT-MRAMの高速動作を実証
2018/11/26 ニュース反強磁性金属ヘテロ構造における磁気抵抗効果を室温で観測
2018/10/18 ニュース反強磁性体を用いたスピントルク磁気メモリの実証 ―磁気メモリの超高記録密度化へ道筋―
2018/10/05 ニュース東北大学電気通信研究所高等研究機構・先端スピントロニクス研究開発センター（世界トップレベル研究拠点）助教公募（2018年11月20日締切）
2018/06/11 ニュース核スピン共鳴プローブ顕微鏡の開発に成功
2018/05/14 ニュースアドバンテスト社製メモリテスターを用いて、磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)の歩留まり率の向上と高性能化を実証

ページのトップへ戻る